静电流对耳机插座的危害有多大
发布日期:2015-12-07 10:41 来源:http://www.eco-tech.hk 点击:
耳机插座按其品种不一样,受静电损坏的程度也不一样,最低的100V的静电压也会对其形成损坏。这些年跟着电子元器材发展趋于集成化,因而请求相应的静电电压也在不断下降。
人体所感应的静电电压通常在2-4KV以上,通常是由于人体的细微动作或与绝缘物的磨擦而导致的。也就是说,假使我们平时日子中所带的静电电位与IC触摸,那么简直一切的IC都将被损坏,这种风险存在于任何没有采纳静电防护办法的作业环境中。静电对IC的损坏不只体现在电子元器材的制造工序当中,并且在IC的拼装、运送等过程中都会对IC发生损坏。
信号源耦合到被测电路上的信号起伏在匹配和非匹配状态下是不一样的,耳机插座的输出起伏通常要么是空载输出的起伏,要么是匹配输出的起伏,这可经过仪器使用说明或经过实测来断定。假如被测电路的输入阻抗不是比信号源输出阻抗大得多,也不与信号源的输出阻抗相匹配,则不能够经过信号源的面板指示来断定耦合到被测电路上的信号起伏,而要经过实测断定。
在一样类型的耳机插座中,作业频率越高,作业电流越大,开关时间越短,或许额外电源电压越高,则抗辐射才能越强。例如,用一样技术和资料制造的微处理器电路,请求10V电源的电路比请求5V电源的电路抗辐射才能强,由于10V电源有3V的噪声容限,而5V电源只要1.5V的噪声容限。
在不一样类型的耳机插座中,半导体二极管的抗辐射才能优于晶体管三极管,结型场效应管的抗辐射才能优于双极晶体管,由分立器材构成的电路的抗电离辐射才能优于完成一样功用的单片集成电路,数字集成电路的抗中子辐射才能模拟集成电路。
耳机插座按其品种不一样,受静电损坏的程度也不一样,最低的100V的静电压也会对其形成损坏。这些年跟着电子元器材发展趋于集成化,因而请求相应的静电电压也在不断下降。
人体所感应的静电电压通常在2-4KV以上,通常是由于人体的细微动作或与绝缘物的磨擦而导致的。也就是说,假使我们平时日子中所带的静电电位与IC触摸,那么简直一切的IC都将被损坏,这种风险存在于任何没有采纳静电防护办法的作业环境中。静电对IC的损坏不只体现在电子元器材的制造工序当中,并且在IC的拼装、运送等过程中都会对IC发生损坏。
信号源耦合到被测电路上的信号起伏在匹配和非匹配状态下是不一样的,耳机插座的输出起伏通常要么是空载输出的起伏,要么是匹配输出的起伏,这可经过仪器使用说明或经过实测来断定。假如被测电路的输入阻抗不是比信号源输出阻抗大得多,也不与信号源的输出阻抗相匹配,则不能够经过信号源的面板指示来断定耦合到被测电路上的信号起伏,而要经过实测断定。
在一样类型的耳机插座中,作业频率越高,作业电流越大,开关时间越短,或许额外电源电压越高,则抗辐射才能越强。例如,用一样技术和资料制造的微处理器电路,请求10V电源的电路比请求5V电源的电路抗辐射才能强,由于10V电源有3V的噪声容限,而5V电源只要1.5V的噪声容限。
在不一样类型的耳机插座中,半导体二极管的抗辐射才能优于晶体管三极管,结型场效应管的抗辐射才能优于双极晶体管,由分立器材构成的电路的抗电离辐射才能优于完成一样功用的单片集成电路,数字集成电路的抗中子辐射才能模拟集成电路。